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igbt是什么
IGBT是绝缘栅双极型晶体管。IGBT全称“Insulated Gate Bipolar Transistor”。IGBT是由BJT双极型三极管和MOS绝缘栅型场效应管组成的复合全控型电压驱动式功率半导体器件。IGBT的特点是高耐压、导通压降低、开关速度快、驱动功率小。
GTR饱和压降低,载流密度大,但驱动电流较大;MOSFET驱动功率很小,开关速度快,但导通压降大,载流密度小。IGBT综合了以上两种器件的优点,驱动功率小而饱和压降低。非常适合应用于直流电压为600V及以上的变流系统如交流电机、变频器、开关电源、照明电路、牵引传动等领域。
IGBT模块是由IGBT(绝缘栅双极型晶体管芯片)与FWD(续流二极管芯片)通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品;封装后的IGBT模块直接应用于变频器、UPS不间断电源等设备上;
IGBT模块具有节能、安装维修方便、散热稳定等特点;当前市场上销售的多为此类模块化产品,一般所说的IGBT也指IGBT模块;随着节能环保等理念的推进,此类产品在市场上将越来越多见;
IGBT是能源变换与传输的核心器件,俗称电力电子装置的“CPU”,作为国家战略性新兴产业,在轨道交通、智能电网、航空航天、电动汽车与新能源装备等领域应用极广。
igbt是什么意思
1、igbt的全称是Insulated Gate Bipolar Transistor,绝缘栅双极型晶体管的意思。它相当于电路开关,具有稳定控制电压,耐压性强等热点,多在直流电压为500伏或以上的变流系统中使用。
2、从功能方面来说,igbt电路开关,最大的优点就是能稳定的控制住电压,耐压性强,因此经常用在电压几十到几百伏的强电流上,且它不是用机械按钮控制的,而是由计算机控制的。
igbt是什么驱动信号
绝缘栅双极晶体管IGBT安全工作,它集功率晶体管GTR和功率场效应管MOSFET的优点于一身,自关断、开关频率高(10-40kHz)的特点,是发展最为迅速的新一代电力电子器件。广泛应用于小体积、高效率的变频电源、电机调速、UPS及逆变焊机当中。IGBT的驱动和保护是其应用中的关键技术。igbt驱动电路是驱动igbt模块以能让其正常工作,并同时对其进行保护的电路。绝缘栅双极型晶体管(IGBT)在今天的电力电子领域中已经得到广泛的应用,在实际使用中除IGBT自身外,IGBT驱动器的作用对整个换流系统来说同样至关重要。驱动器的选择及输出功率的计算决定了换流系统的可靠性。
因此,在IGBT数据手册中给出的电容Cies值在实际应用中仅仅只能作为一个参考值使用。
IGBT的开关特性主要取决于IGBT的门极电荷及内部和外部的电阻
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